首先開關(guān)電源是一門很復雜的領(lǐng)域，很多人說電源就是吃經(jīng)驗，現(xiàn)實也存在靠經(jīng)驗和試錯來調(diào)試的工程師。

　　個人感覺是因為開關(guān)電源想從理論的層次去解釋一個問題產(chǎn)生的原因和從理論去解決往往十分困難的。比如變壓器交叉調(diào)整率的怎么計算，環(huán)路中奇奇怪怪的伯德圖產(chǎn)生原因?但是充實的理論知識還是可以在出現(xiàn)新問題的時候更快的定位問題。更好的做定性分析。

　　看這個系列的同學需要儲備的知識

　　基本的電路知識，基本的器件知識即可，如果是課本上的內(nèi)容就是模電和電路。

　　快速過一下反激基本原理

　　1、 其實在圖片之前還有一個EMI模塊。但是不在本次系列的講解中。

　　2、經(jīng)過整流橋整流之后會給大電解充電，這個應該比較好理解吧，整流橋把交流電流整流為直流點，輸入大電解進行穩(wěn)定電壓。安撫一下輸入的電壓，別太躁動。

　　3、原邊MOS相當開關(guān)，開關(guān)時間決定了原邊電感的輸入能量大小(DCM tis：不用理解DCM是什么)

　　4、原邊MOS關(guān)閉期間，變壓器儲存的能量無處可去，結(jié)果發(fā)現(xiàn)副邊居然有一個乖乖是單向?qū)ǖ耐嬉?二極管D2、D3)那就往你那邊跑吧，就給后面的C3輸入電容充電。

　　5、MOS開通，變壓器儲能，D3反向截止，輸出端電壓由輸入電容維持。

　　。。。。。

　　里面還有很多很細的細節(jié)，我們慢慢道來。

　　RCD原理

　　上圖里面沒有講到的一個是D1、C2、R1組成的東西。

　　一般我們稱為RCD吸收電路。

　　RCD的出現(xiàn)是為了解決原邊MOS關(guān)閉的時候漏感能量造成原邊MOS應力過高的問題，這句話我慢慢解釋。

　　1、現(xiàn)實變壓器不是理想的，像98折的充值活動一樣，原邊繞組(原邊線圈)充了100塊錢，但是到副邊只剩98塊錢了，中介吞了2塊錢。這中介便是漏感，漏感通俗的定義是無法耦合到副邊的感量。顧名思義，測量也非常簡單，通過短路輸入繞組，再測量原邊的感量，由于輸入繞組短路，磁芯磁路被短路，耦合到副邊的能量都被短路了，還能測量出來的便是漏感。如下圖表示：

　　2、漏感存在又會造成什么問題呢，好問題，給提出這個問題的小朋友點贊。

　　As we all know 原邊的MOS開通的時候，會給原邊的電感充入100塊錢的電流，那你猜一下，100塊錢原邊電感能全部得到嗎?顯然不能，因為漏感和原邊的電感時串聯(lián)關(guān)系，會根據(jù)他們的感量來分配著100塊錢，假如漏感分到了2塊錢，而漏感的定義是無法耦合到副邊的感量那這兩塊錢又該用在什么地方呢。

　　As we all know 電感的電流不能突變，假如mos關(guān)斷的一刻，漏感上的電流已經(jīng)達到1A，那MOS關(guān)斷的時候，MOS阻抗近似無窮大，假設10兆歐姆吧，1A電流不能突變，回路已經(jīng)形成了10兆歐姆的阻抗，那電壓是多少呢?顯而易見是1A*10兆歐=10兆伏=10 000 000V，一般MOS耐壓多少V呢，650V?700V?這時候MOS是不是會承受一個10兆伏的電壓，MOS可抗不住，直接躺平，boom的一聲，然后同事就圍上來：“喲，這次怎么沒有上次響呢?”

　　3、既然出現(xiàn)了問題，那就有解決問題的方案，那就是RCD電路：

　　上面第2點種很說明了在mos關(guān)斷的時候因為漏感會產(chǎn)生很大漏感尖峰電壓，這種會超過MOS的耐壓造成MOS損壞?，F(xiàn)在一個個狀態(tài)在分析RCD狀態(tài)。

　　3-1：如下圖，在整系統(tǒng)沒有開啟前，三個測量針的位置都是311V，R1會吧C1兩端電壓維持一致都是311V，變壓器原變也是導通的，也是311V。

　　3-2：如下圖，在MOS導通的時候，mos的d極會被拉到地，也就是0V，變壓器原邊兩端形成壓差，電流線性上升，同時漏感是串聯(lián)進去的，也存在漏感電流線性上升。

　　3-3：MOS由導通變?yōu)殛P(guān)閉，變壓器儲存的能量轉(zhuǎn)到副邊，而漏感的能量，無法轉(zhuǎn)移到副邊。漏感電流方向不變，還是從右到左，而MOS已經(jīng)關(guān)閉了，當然關(guān)閉過程也是瞬間完成了，在MOS的DS間的阻值逐漸增大時，MOS漏極的電壓也逐漸升高。當升高到311.7V，D1就會導通。

　　3-4同時也由于副邊的反射電壓，會在輸入電壓和反射電壓疊加形成MOS的電壓平臺(這個后面講，現(xiàn)在先講RCD部分)，漏感尖峰時疊加在MOS平臺電壓之上的。當MOS漏極電壓比C1的下面的電壓高0.7V，二極管通道，漏感電流這時候就有去路了，而且C1有儲存能量的能力，不用憋屈在MOS上了。由于二極管導通了，漏感存儲的電流流向C1,C1的電壓逐漸升高，直到漏感能量完全釋放完。

　　3-5 漏感能力釋放完之后，MOS漏極的電壓下降到平臺電壓，二極管截至。直到下一個周期MOS管導通再關(guān)閉的時候，漏感尖峰比C1電壓高了才能重新導通。在重新導通之前，C1上面的電壓會被R1消耗，逐漸下降。直到下一個周期漏感尖峰電壓重新充電。如此反復。

　　總結(jié)：

　　1、漏感尖峰電壓會被RCD吸收，漏感能量一定，電容越大，電容充電的電壓就越低，吸收能力就越強，MOS漏極的電壓就越低。

　　2、在漏感能力釋放完之后(這個過程一般只有一個周期的3%時間)，是要通過R1釋放掉電容吸收的能量的，把電容的電壓降下來方便下一次漏感尖峰來之前再進行吸收。

　　3、電容容量和電阻需要合理搭配，容量足夠即可，足夠能吸收漏感尖峰電壓，不至于超過MOS耐壓。電阻需要足夠小，小到在放電階段把電容電壓下降到MOS的電壓平臺。但是不能下降過來電壓平臺，這樣就會把電壓平臺和母線電壓之間的能量也吸收釋放掉，得不償失。

　　總結(jié)之后就結(jié)束了嘛?不可能，公式都沒有一條，統(tǒng)統(tǒng)匯總到下面了，自己拿哈。