場(chǎng)效應(yīng)管做的開關(guān)電路一般分為兩種，一種是N溝道，另一種是P溝道，如果電路設(shè)計(jì)中要應(yīng)用到高端驅(qū)動(dòng)的話，可以采用PMOS來(lái)導(dǎo)通。

　　1.P溝道MOS管開關(guān)電路

　　PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，當(dāng)Vgs<0,即Vs>Vg,管子導(dǎo)通。S點(diǎn)的電壓會(huì)傳到D點(diǎn)。

　　若Vs=0，Vg=Vd=24V。燒管子。當(dāng)時(shí)我們想，當(dāng)Vg點(diǎn)的電壓大于Vs點(diǎn)的電壓，管子就會(huì)關(guān)掉。但是實(shí)際情況是，當(dāng)g點(diǎn)給10V，s點(diǎn)給0v，管子會(huì)關(guān)掉，但是當(dāng)d點(diǎn)電壓為24v時(shí)，由于管子內(nèi)部電阻很小，管子就燒壞了。

　　若Vg=0v,Vs點(diǎn)加的電壓由24v降到0v，Vd點(diǎn)的電壓也會(huì)由24v降到0v。即當(dāng)s點(diǎn)的電壓大于g點(diǎn)的電壓，管子就會(huì)導(dǎo)通，就會(huì)將s點(diǎn)的電壓傳到d點(diǎn)。當(dāng)g點(diǎn)電壓為0，s點(diǎn)電壓大于0，s點(diǎn)的電壓就會(huì)傳到d點(diǎn)。

　　總結(jié)：對(duì)于P-mos管，對(duì)G點(diǎn)采用的是負(fù)邏輯控制。低有效。

　　適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定電壓就導(dǎo)通，而非相對(duì)于地的電壓。但是因?yàn)镻MOS導(dǎo)通內(nèi)阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。

　　典型應(yīng)用電路：

　　2. N溝道MOS管開關(guān)電路

　　對(duì)于N-MOS管采用的是正邏輯，當(dāng)Vgs>0,即G點(diǎn)電壓大于S點(diǎn)電壓，管子就會(huì)導(dǎo)通，D點(diǎn)電壓就會(huì)傳到S點(diǎn)。當(dāng)VDS的電壓增大，ID就會(huì)增大。

　　NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只要柵極電壓大于參數(shù)手冊(cè)中給定的Vgs就可以了，漏極D接電源，源極S接地。需要注意的是Vgs指的是柵極G與源極S的壓差，所以當(dāng)NMOS作為高端驅(qū)動(dòng)時(shí)候，當(dāng)漏極D與源極S導(dǎo)通時(shí)，漏極D與源極S電勢(shì)相等，那么柵極G必須高于源極S與漏極D電壓，漏極D與源極S才能繼續(xù)導(dǎo)通。

　　典型應(yīng)用電路：

　　3. 總結(jié)

　　以上就是關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)電路的相關(guān)介紹,高端驅(qū)動(dòng)一般應(yīng)用的是PMOS的特性，而低端驅(qū)動(dòng)一般應(yīng)用于NMOS的特性，測(cè)量的是柵極G與源極S的壓差。

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